- характеристики подложек
- substrate qualification
Русско-английский словарь по микроэлектронике. 2013.
характеристики подложек
Look at other dictionaries:
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Intel — (Интел) Компания Intel, история компании, деятельность компании Информация о компании Intel, история компании, деятельность компании Содержание Содержание Core Описание Intel Продукция фирмы Intel Технические характеристики Преимущества и… … Энциклопедия инвестора
КОРУНДОВАЯ КЕРАМИКА — КОРУНДОВАЯ КЕРАМИКА, керамика (см. КЕРАМИКА) на основе корунда (см. КОРУНД) a Al2O3, одной из кристаллических модификаций оксида алюминия, обладающего высокими электрическими, механическими и тепловыми свойствами. В составе корундовой керамики… … Энциклопедический словарь
Газофазная эпитаксия — Газофазная эпитаксия получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных… … Википедия
Спанбонд — В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена. Вы можете … Википедия
ГАЛЛИЯ АРСЕНИД — ГАЛЛИЯ АРСЕНИД, один из основных полупроводниковых материалов (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ), относящийся к классу соединений AIIIBV. Благодаря удачному сочетанию свойств занимает второе место (после кремния (см. КРЕМНИЙ)) по своему значению в … Энциклопедический словарь
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — твердотельное устройство, содержащее группу приборов и их соединения (связи), выполненное на единой пластине (подложке). В И. с. интегрируются пассивные элементы (ёмкости, сопротивления) и активные элементы, действие к рых основано на разл. физ.… … Физическая энциклопедия
